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NCE6050I	文件：976.99 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：976.99 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE6050I	文件：350.89 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：350.89 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE6050IA	文件：769.32 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE6050IA；Package：NCE6050IATO-251；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6050IA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =60V,ID =50A RDS(ON) 文件：769.32 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE6050IA	文件：976.99 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：976.99 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE6050I	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道 MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE6050IA	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET \n The NCE6050IA uses advanced trench technology and design to provide excellent R DS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. \n• V DS =60V,I D =50A\nR DS(ON) <20m? @ V GS =10V\n• High density cell design for ultra low Rdson\n• Fully characterized avalanche voltage and current\n• Good stability and uniformity with high E AS\n• Excellent package for good heat dissipation\n• Special process technology for high ESD capability;	NCEPower 新洁能	NCEPower

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-251
Polarity：
P
BVDSS(V)：
60
ID(A)：
50
VTH(V)：
1.6
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
13
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
20
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
17
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
25
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
2050
QG(nC)：
50
PD(W)：
80

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市赛芯源科技有限公司	NCE6050I	NCE	18+	TO-251	41200	原装正品,现货特价	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	NCE6050I	NCE	20+	TO-251	15800	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
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更多NCE6050I供应商更新时间2022-6-12 10:12:00

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