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NCE6009AS	文件：429.44 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：429.44 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE6009AS	文件：996.13 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：996.13 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE6009AS	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET The NCE6009AS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General Features● VDS = 60V,ID =9ARDS(ON) < 16mΩ @ VGS=10V RDS(ON) < 18mΩ @ VGS=10V ● High density cell design for ultra low Rdson● Fully chara	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE6009XS	文件：608.79 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6009XS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 60V,ID =9A RDS(ON) 文件：608.79 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NIUSB-6009	文件：198.14 Kbytes Page：5 Pages	8 analog inputs at 12 or 14 bits,up to 48 kS/s 文件：198.14 Kbytes 页数：5 Pages	NI 恩艾	NI
NTE6009	文件：20.66 Kbytes Page：2 Pages	Fast Recovery Rectifier, 40A, 200ns Description: The NTE6006 through NTE6011 are fast recovery silicon rectifiers in a DO5 type package designed for special applications such as DC power supplies, inverters, converters, ultrasonic systems, choppers, low RF interference, sonar power supplies, and free wheeling diodes. A complete lin 文件：20.66 Kbytes 页数：2 Pages	NTE	NTE

技术参数

Product status：
Production
Package：
SOP-8
Polarity：
P
BVDSS(V)：
60
ID(A)：
9
VTH(V)：
1.8
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
11
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
16
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
14
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
20
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
2180
QG(nC)：
58
PD(W)：
2.6

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