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NCE4963	文件：1.31284 Mbytes Page：4 Pages	Dual P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= -20V, ID= -13 A RDS(ON) 文件：1.31284 Mbytes 页数：4 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
NCE4963	文件：406.3 Kbytes Page：7 Pages	NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：406.3 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE4963	文件：1.35108 Mbytes Page：8 Pages	Dual P-Channel 20V (D-S) MOSFET 文件：1.35108 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE4963	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N and P-Channel MOSFET \n The NCE4963 uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) , low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.	NCEPower 新洁能	NCEPower

技术参数

Product status：
Production
Package：
SOP-8
Polarity：
P+P
BVDSS(V)：
-20
ID(A)：
-7
VTH(V)：
-0.7
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
19
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
25
RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)：
23
RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)：
32
VGS(th)(V)：
±12
CISS(pF)：
1210
QG(nC)：
10
PD(W)：
3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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