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NCE40NP2815G	文件：988.33 Kbytes Page：11 Pages	丝印：40NP2815G；Package：DFN5X6-8L；NCE N&P-Channel complementary Power MOSFET Description The NCE40NP2815G uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features N channel ● VDS =40V,ID =28A RDS(ON) 文件：988.33 Kbytes 页数：11 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE40NP2815G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Complementary MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE40P05Y	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	NCE Power/新洁能上传：深圳市浩翊科技有限公司	NCE Power/新洁能
NCE40P13S	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN16-2L	NCEPOWER新洁能NCE 上传：深圳市光与电子有限公司	NCEPOWER新洁能NCE
NCE40P40K	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252-2L	NCE(新洁能) 上传：上海闻业电子科技有限公司	NCE(新洁能)

技术参数

Product status：
Production
Package：
DFN5*6
Polarity：
N+P
BVDSS(V)：
-40/40
ID(A)：
-15/28
VTH(V)：
-1.5/1.4
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
29/15
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
35/18
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
34/22
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
45/28
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
964/964
QG(nC)：
22.9/22.9
PD(W)：
2

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更多NCE40NP2815G供应商更新时间2026-2-4 16:43:00

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