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NCE40H30D	文件：406.87 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE40H30D；Package：TO-263-2L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H30D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =40V ,ID =300A RDS(ON) 文件：406.87 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE40H30D	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE40P05Y	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	NCE Power/新洁能上传：深圳市浩翊科技有限公司	NCE Power/新洁能
NCE40P13S	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN16-2L	NCEPOWER新洁能NCE 上传：深圳市光与电子有限公司	NCEPOWER新洁能NCE
NCE40P40K	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252-2L	NCE(新洁能) 上传：上海闻业电子科技有限公司	NCE(新洁能)

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-263
Polarity：
P
BVDSS(V)：
40
ID(A)：
300
VTH(V)：
1.8
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
1.4
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
1.8
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
1.9
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
2.5
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
11635
QG(nC)：
249
PD(W)：
350

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