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NCE40H12	文件：408.13 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：408.13 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE40H12	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE40H12A	文件：668.8 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE40H12A；Package：TO-220-3L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H12A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =40V,ID =120A RDS(ON) 文件：668.8 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE40H12K	文件：299.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.95mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NCE40H12I	文件：398.73 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：398.73 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE40H12K	文件：380.49 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：380.49 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NCE40H12K	文件：465.22 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：465.22 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE40H12BK	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE40H12I	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道 MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-220
Polarity：
P
BVDSS(V)：
40
ID(A)：
120
VTH(V)：
1.8
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
3.6
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
4
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
5.8
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
7
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
5400
QG(nC)：
75
PD(W)：
130

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