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NCE4080	文件：396.81 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：396.81 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE4080	文件：968.91 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 4 -V (D-S) MOSFET 文件：968.91 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE4080	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET \n The NCE4080 uses advanced trench technology and design to provide excellent R DS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. \n• V DS =40V,I D =80A\nR DS(ON) <6.5m? @ V GS =10V\n• High density cell design for ultra low Rdson\n• Fully characterized avalanche voltage and current\n• Good stability and uniformity with high E AS\n• Excellent package for good heat dissipation;	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE4080K	文件：439.93 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：439.93 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE4080K	文件：1.00129 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 4 -V (D-S) MOSFET 文件：1.00129 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
LCE4080K	文件：886.59 Kbytes Page：6 Pages	丝印：NCE4080K；Package：TO-252-2L；LCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：886.59 Kbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
LMAK80N04	文件：900.34 Kbytes Page：6 Pages	丝印：NCE4080K；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：900.34 Kbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
NCE4080K	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-220
Polarity：
P
BVDSS(V)：
40
ID(A)：
80
VTH(V)：
1.8
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
4.4
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
6.5
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
10
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
15
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
4010
QG(nC)：
50
PD(W)：
80

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