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NCE4009S	文件：373.23 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE4009S；Package：SOP-8；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE4009S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● N-Channel VDS =40V,ID =9A RDS(ON) 文件：373.23 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
LCE4009S	文件：941.17 Kbytes Page：6 Pages	丝印：NCE4009S；Package：SOP-8；LCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：941.17 Kbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
LM8S9N04	文件：955.45 Kbytes Page：6 Pages	丝印：NCE4009S；Package：SOP-8；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：955.45 Kbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
NCE4009S	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET The NCE4009S uses advancedtrench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a levelshifted high side switch, and for a host of other applications.	NCEPower 新洁能	NCEPower

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更多NCE4009S供应商更新时间2026-10-27 23:33:00