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NCE3420	文件：331.84 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：331.84 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE3420	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE3420X	文件：323.86 Kbytes Page：7 Pages	丝印：3420X；Package：SOT-23；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3420X uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch. General Features ● VDS = 20V,ID = 6A RDS(ON) 文件：323.86 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE3420X	文件：300 bytes Page：1 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower

技术参数

Product status：
Production
Package：
SOT-23
Polarity：
P
BVDSS(V)：
20
ID(A)：
6
VTH(V)：
0.7
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
18
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
33
RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)：
21
RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)：
40
VGS(th)(V)：
±12
CISS(pF)：
424.5
QG(nC)：
12
PD(W)：
1.25

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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