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NCE30P28Q	文件：744.19 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NCE30P28Q；Package：DFN3.3X3.3-8L；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheNCE30P28Qusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitchor powermanagement.Application ●Powermanagement●Loadswitch GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-28A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE30P28Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-150V P-Channel Trench MOSFET; • VDS = -30V,ID = -28ARDS(ON) <9mΩ @ VGS=-10VRDS(ON) <17mΩ @ VGS=-4.5V• High power and current handing capability• Lead free product is acquired• Surface mount package; The NCE30P28Q uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch or power management.	NCEPowerWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPower
LCE30P28Q	文件：680.49 Kbytes Page：6 Pages	LCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

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NCE30P28Q

文件：744.19 Kbytes

Page：8 Pages

丝印：NCE30P28Q；Package：DFN3.3X3.3-8L；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheNCE30P28Qusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitchor powermanagement.Application ●Powermanagement●Loadswitch GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-28A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司

NCEPOWER

NCE30P28Q

文件：300 bytes

Page：1 Pages

12-150V P-Channel Trench MOSFET; • VDS = -30V,ID = -28ARDS(ON) <9mΩ @ VGS=-10VRDS(ON) <17mΩ @ VGS=-4.5V• High power and current handing capability• Lead free product is acquired• Surface mount package;

The NCE30P28Q uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch or power management.

NCEPowerWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司

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LCE30P28Q

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LCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司

LEIDITECH

技术参数

Product status：
Production
Package：
DFN3*3
Polarity：
P
BVDSS(V)：
-30
ID(A)：
-28
VTH(V)：
-1.7
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
6.7
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
9
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
9.5
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
17
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
2060
QG(nC)：
30
PD(W)：
30

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宝芯创电子有限公司	NCE30P28Q	NCE	新年份	DFN3.3X3.3-8L	6200		询价
深圳市锦喆鸿电子有限公司	NCE30P28Q	NCE	23+	DFN3.3X3.3	15002	现货库存,实单请给接受价格	询价
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