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NCE30P16Q	文件：306 Kbytes Page：6 Pages	丝印：NCE30P16Q；Package：DFN3.3X3.3；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P16Q uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge . This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features ● VDS = -30V,ID = -16A RDS(ON) 文件：306 Kbytes 页数：6 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE30P16Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-150V P-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
A30P16	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	Panels and Panel Accessories 文件：2.00209 Mbytes 页数：16 Pages	PENTAIR 滨特尔	PENTAIR
A30P16G	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	Panels and Panel Accessories 文件：2.00209 Mbytes 页数：16 Pages	PENTAIR 滨特尔	PENTAIR

技术参数

Product status：
Production
Package：
DFN3*3
Polarity：
P
BVDSS(V)：
-30
ID(A)：
-16
VTH(V)：
-1.6
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
13
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
18
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
22
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
30
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
1363
QG(nC)：
31
PD(W)：
30

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