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NCE30NP07S	文件：474.86 Kbytes Page：11 Pages	丝印：NCE30NP07S；Package：SOP-8；N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30NP07S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● N-Channel VDS = 30V,ID =6.5A RDS(ON) 文件：474.86 Kbytes 页数：11 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE30NP07S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Complementary MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE30P50G	文件：0 bytes Page：0 Pages	PDFN5*6-8	NCE(新洁能）上传：上海闻业电子科技有限公司	NCE(新洁能）
NCE30P50G	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN5*6	新洁能上传：上海闻业电子科技有限公司	新洁能
NCE3400X	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	NCE Power/新洁能上传：深圳市浩翊科技有限公司	NCE Power/新洁能

技术参数

Product status：
Production
Package：
SOP-8
Polarity：
N+P
BVDSS(V)：
-30/30
ID(A)：
-7/6.5
VTH(V)：
-1.7/1.6
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
29/16.8
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
35/24
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
48/25.3
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
75/37
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
691/485
QG(nC)：
16.3/12.6
PD(W)：
2

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