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NCE3095K

丝印:NCE3095K;Package:TO-252-2L;NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE3095K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =30V,ID =95A RDS(ON)

文件:647.62 Kbytes 页数:7 Pages

NCEPOWER

新洁能

NCE3095K

12-200V N-Channel Trench MOSFET

NCEPower

新洁能

THS3095DDA

HIGH-VOLTAGE, LOW-DISTORTION, CURRENT-FEEDBACK OPERATIONAL AMPLIFIERS

文件:1.08315 Mbytes 页数:31 Pages

TI

德州仪器

THS3095DDAR

HIGH-VOLTAGE, LOW-DISTORTION, CURRENT-FEEDBACK OPERATIONAL AMPLIFIERS

文件:1.08315 Mbytes 页数:31 Pages

TI

德州仪器

THS3095DR

HIGH-VOLTAGE, LOW-DISTORTION, CURRENT-FEEDBACK OPERATIONAL AMPLIFIERS

文件:1.08315 Mbytes 页数:31 Pages

TI

德州仪器

技术参数

  • Product status:

    Production

  • Package:

    TO-252

  • Polarity:

    P

  • BVDSS(V):

    30

  • ID(A):

    95

  • VTH(V):

    1.7

  • RDS(ON)@10VTyp(mΩ):

    4.1

  • RDS(ON)@10VMax(mΩ):

    5.1

  • RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):

    5.5

  • RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):

    8.5

  • VGS(th)(V):

    ±20

  • CISS(pF):

    1784

  • QG(nC):

    38.4

  • PD(W):

    100

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