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NCE3050	文件：342.69 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：342.69 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE3050	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE3050I	文件：317.81 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：317.81 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE3050K	文件：353.34 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：353.34 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE3050K	文件：1.018 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.018 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE3050KA	文件：402.13 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：402.13 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
LCE3050K	文件：1.17011 Mbytes Page：6 Pages	丝印：NCE3050K；Package：TO-252-2L；LCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.17011 Mbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
LMAK50N03	文件：1.3403 Mbytes Page：6 Pages	丝印：NCE3050K；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.3403 Mbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
NCE3050K	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET The NCE3050K uses advanced trench technology and design to provide excellent R DS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. • V DS =30V,I D =50AR DS(ON) < 11m? @ V GS =10VR DS(ON) < 16m? @ V GS =5V• High density cell design for ultra low Rdson• Fully characterized Avalanche voltage and current• Good stability and uniformity with high E AS• Excellent package for good heat dissipation• Special process technology for high E;	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE3050KA	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-220
Polarity：
P
BVDSS(V)：
30
ID(A)：
50
VTH(V)：
1.6
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
6.5
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
8
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
10
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
16
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
2000
QG(nC)：
32.3
PD(W)：
60

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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