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NCE20P85GU	文件：287.49 Kbytes Page：6 Pages	丝印：20P85GU；Package：DFN5x6-8L；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE20P85GU uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application ● Load switch ● Battery protection General Features ● VDS =-20V,ID =-85A RDS(ON) 文件：287.49 Kbytes 页数：6 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE20P85GU	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-150V P-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE2301	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	NCE/新洁能上传：深圳市浩翊科技有限公司	NCE/新洁能
NCE3010S	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	NCE 上传：深圳市弘晟世纪电子科技有限公司	NCE
NCE30H10G	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN5X6	NCE/新洁能上传：深圳市中联芯电子有限公司	NCE/新洁能

技术参数

Product status：
Production
Package：
DFN5*6
Polarity：
P
BVDSS(V)：
-20
ID(A)：
-85
VTH(V)：
-0.6
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
1.4
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
1.9
RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)：
1.9
RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)：
2.4
VGS(th)(V)：
±10
CISS(pF)：
12670
QG(nC)：
115
PD(W)：
150

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