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NCE15P25	文件：357.38 Kbytes Page：7 Pages	NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：357.38 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE15P25	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-150V P-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE15P25I	文件：532.17 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE15P25I；Package：TO-251；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE15P25JI uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =-150V,ID =-25A RDS(ON) 文件：532.17 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE15P25J	文件：536.84 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE15P25J；Package：TO-220-3L；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE15P25J uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =-150V,ID =-25A RDS(ON) 文件：536.84 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE15P25JI	文件：485 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE15P25JI；Package：TO-251；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE15P25JI uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =-150V,ID =-25A RDS(ON) 文件：485 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE15P25JK	文件：522.22 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE15P25JK；Package：TO-252-2L；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE15P25JK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =-150V,ID =-25A RDS(ON) 文件：522.22 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
LCE15P25JK	文件：1.06843 Mbytes Page：6 Pages	丝印：NCE15P25JK；Package：TO-252-2L；LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.06843 Mbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
LMAK25P15K	文件：1.08277 Mbytes Page：6 Pages	丝印：NCE15P25JK；Package：TO-252-2L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.08277 Mbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
NCE15P25J	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-150V P-Channel Trench MOSFET The NCE15P25J uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE15P25JI	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-150V P-Channel Trench MOSFET The NCE15P25JI uses advanced trench technology and design to provide excellent R DS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.	NCEPower 新洁能	NCEPower

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-220
Polarity：
P
BVDSS(V)：
-150
ID(A)：
-25
VTH(V)：
-1.9
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
120
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
135
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
131
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
160
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
7650
QG(nC)：
137
PD(W)：
160

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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