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NCE0260T

丝印:NCE0260T;Package:TO-247;NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE0260T uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =200V,ID =60A RDS(ON)

文件:318.37 Kbytes 页数:7 Pages

NCEPOWER

新洁能

NCE0260T

12-200V N-Channel Trench MOSFET

NCEPower

新洁能

P0260AD

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.08688 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

P0260AT

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:339.7 Kbytes 页数:5 Pages

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微无锡旭康微电子有限公司

P0260ED

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:777.02 Kbytes 页数:8 Pages

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微无锡旭康微电子有限公司

技术参数

  • Product status:

    Production

  • Package:

    TO-247

  • Polarity:

    P

  • BVDSS(V):

    200

  • ID(A):

    60

  • VTH(V):

    3.2

  • RDS(ON)@10VTyp(mΩ):

    24

  • RDS(ON)@10VMax(mΩ):

    30

  • VGS(th)(V):

    ±20

  • CISS(pF):

    6200

  • QG(nC):

    130

  • PD(W):

    290

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NCE0260T供应商 更新时间2025-10-4 9:01:00