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NCE0224F	文件：331.92 Kbytes Page：9 Pages	丝印：NCE0224F；Package：TO-220F；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0224F uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =200V,ID =24A RDS(ON) 文件：331.92 Kbytes 页数：9 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE0224F	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE0224K	文件：402.45 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：402.45 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE0224KA	文件：406.11 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：406.11 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NHD-0224AZ-FL-YBW	文件：863.62 Kbytes Page：21 Pages	Liquid Crystal Display Module 文件：863.62 Kbytes 页数：21 Pages	NEWHAVEN	NEWHAVEN

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-220F
Polarity：
P
BVDSS(V)：
200
ID(A)：
24
VTH(V)：
3.2
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
64
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
80
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
4200
QG(nC)：
60
PD(W)：
45

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NCE0224F供应商更新时间2025-10-11 16:20:00

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