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NCE01P18K	文件：410.27 Kbytes Page：7 Pages	NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：410.27 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE01P18K	文件：984.94 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：984.94 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
LCE01P18K	文件：1.00579 Mbytes Page：6 Pages	丝印：NCE01P18K；Package：TO-252-2L；LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.00579 Mbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
LMAK18P10K	文件：1.01941 Mbytes Page：6 Pages	丝印：NCE01P18K；Package：TO-252-2L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.01941 Mbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
NCE01P18K	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-150V P-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-252
Polarity：
P
BVDSS(V)：
-100
ID(A)：
-18
VTH(V)：
-1.9
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
85
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
100
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
95
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
120
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
3810
QG(nC)：
70
PD(W)：
70

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