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NCE0157D	文件：338.66 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：338.66 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE0157D	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE0157G	文件：706.3 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0157G uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application ● DC/DC Converter ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificati 文件：706.3 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE0157T	文件：377.19 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：377.19 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
RC0157A	文件：117.33 Kbytes Page：2 Pages	Hyper Fast Rectifier 文件：117.33 Kbytes 页数：2 Pages	SSDI	SSDI

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-263
Polarity：
P
BVDSS(V)：
100
ID(A)：
57
VTH(V)：
3
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
12
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
16
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
4400
QG(nC)：
95
PD(W)：
180

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