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NCE0157A2	文件：384.3 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：384.3 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE0157A2D	文件：635.88 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE0157A2D；Package：TO-263-2L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0157A2D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 100V,ID =57A RDS(ON) 文件：635.88 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE0157A2	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
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技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-220
Polarity：
P
BVDSS(V)：
100
ID(A)：
57
VTH(V)：
3
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
14.5
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
17
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
3969
QG(nC)：
146.1
PD(W)：
160

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