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NCE0130A	文件：350.52 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheNCE0130Ausesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=100V,ID=30A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
0130-A	文件：76.76 Kbytes Page：1 Pages	BALLKNOB	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
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ACDBZ0130L-HF	文件：109.42 Kbytes Page：4 Pages	LowVFSmallSignalSchottkyDiodes	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
ACDBZ0130R-HF	文件：108.77 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
ACDBZC0130L-HF	文件：469.7 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes Features -Ultrasmallmoldtype. -Lowforwardvoltage. -AEC-Q101Qualified.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
ACDBZC0130R-HF	文件：469.87 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes Features -Ultrasmallmoldtype. -Lowreversecurrent. -AEC-Q101Qualified. -Lowforwardvoltage.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
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AP0130	文件：159.48 Kbytes Page：5 Pages	8ChannelPowerMOSFETArrayMonolithicN-channelEnchancementMode? GeneralDescription TheSupertexAP01seriesofhighvoltagearraysisdesignedtoprovidetheinterfacebetweenMOSlogicandloadsrequiringhighvoltagesandintermediatecurrents.Eachcircuitconsistsofeightchannelinacommon-sourceconfigurationwithopendrains.Thisdesignminimizest	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
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AP0130ND	文件：159.48 Kbytes Page：5 Pages	8ChannelPowerMOSFETArrayMonolithicN-channelEnchancementMode? GeneralDescription TheSupertexAP01seriesofhighvoltagearraysisdesignedtoprovidetheinterfacebetweenMOSlogicandloadsrequiringhighvoltagesandintermediatecurrents.Eachcircuitconsistsofeightchannelinacommon-sourceconfigurationwithopendrains.Thisdesignminimizest	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
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AR0130CS	文件：389.1 Kbytes Page：39 Pages	1/3?릋nchCMOSDigitalImageSensor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ASB0130	文件：142.02 Kbytes Page：3 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Features IO=100mA VR=30V -Designedformountingonsmallsurface. -Extremelythinpackage. -Lowdrop-downvoltage. -Majoritycarrierconduction. -Lead-freedevice MechanicalData -Case:0603(1608)1005(2512)standardpackage,moldedplastic. -Terminals:Goldplated,sol	ANACHIP 易亨易亨电子股份有限公司	ANACHIP
ASB0130BD	文件：142.02 Kbytes Page：3 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Features IO=100mA VR=30V -Designedformountingonsmallsurface. -Extremelythinpackage. -Lowdrop-downvoltage. -Majoritycarrierconduction. -Lead-freedevice MechanicalData -Case:0603(1608)1005(2512)standardpackage,moldedplastic. -Terminals:Goldplated,sol	ANACHIP 易亨易亨电子股份有限公司	ANACHIP

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更多NCE0130A供应商更新时间2024-4-28 13:37:00

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