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NCE0125AI	文件：597.91 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE0125AI；Package：TO-251-3L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0125AI uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 100V,ID =25A RDS(ON) 文件：597.91 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE0125AI	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
RPI-0125	文件：71.07 Kbytes Page：2 Pages	Photointerrupter, Ultraminiature SMD type 文件：71.07 Kbytes 页数：2 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SEP0125	文件：44.47 Kbytes Page：2 Pages	1 AMP 25 VOLTS SUPER SCHOTTKY RECTIFIER 文件：44.47 Kbytes 页数：2 Pages	SSDI	SSDI
TD0125A	文件：410.79 Kbytes Page：5 Pages	SAW Resonator 915 MHz 文件：410.79 Kbytes 页数：5 Pages	TAI-SAW 嘉硕科技	TAI-SAW

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-251
Polarity：
P
BVDSS(V)：
100
ID(A)：
25
VTH(V)：
1.2
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
31
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
36
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
33
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
38
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
3000
QG(nC)：
70.4
PD(W)：
70

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NCE0125AI供应商更新时间2026-4-19 11:01:00

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