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NCE0117	文件：681.66 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE0117；Package：TO-251；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0117I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =100V,ID =17A RDS(ON) 文件：681.66 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE0117	文件：382.13 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：382.13 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE0117	文件：937.36 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：937.36 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE0117	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE0117AK	文件：658.19 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE0117AK；Package：TO-252-2L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0117AK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =100V,ID =17A RDS(ON) 文件：658.19 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE0117I	文件：681.66 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0117I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =100V,ID =17A RDS(ON) 文件：681.66 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE0117K	文件：460.59 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：460.59 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE0117I	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE0117K	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-220
Polarity：
P
BVDSS(V)：
100
ID(A)：
17
VTH(V)：
1.5
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
44
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
65
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
46
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
70
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
1350
QG(nC)：
30
PD(W)：
55

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