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NAND512R3A2DZA6 集成电路（IC）存储器 ST/意法半导体
- 详细信息
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产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号：
NAND512R3A2DZA6E
- 制造商：
Micron Technology Inc.
- 类别：
- 包装：
管件
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
闪存
- 技术：
闪存 - NAND
- 存储容量：
512Mb（64M x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
50ns
- 电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
63-TFBGA
- 供应商器件封装：
63-VFBGA（9x11）
- 描述：
IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA
供应商
- 企业：
深圳市欧立现代科技有限公司
- 商铺：
- 联系人：
胡先生/朱先生/林小姐
- 手机：
18033057686
- 询价：
- 电话：
0755-83222787/0755-23999932
- 传真：
0755-83238256
- 地址：
深圳市福田区华强北赛格科技园三栋东座10楼A2室
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