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NAND256W3A2BZA6E 集成电路(IC)存储器 MICRON/镁光
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原厂料号:NAND256W3A2BZA6E品牌:MICRON
原装现货热卖,安罗世纪电子只做原装
NAND256W3A2BZA6E是集成电路(IC) > 存储器。制造商MICRON/Micron Technology Inc.生产封装SMD/55-TFBGA的NAND256W3A2BZA6E存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。
产品属性
- 类型
描述
- 产品编号:
NAND256W3A2BZA6E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 类别:
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
闪存 - NAND
- 存储容量:
256Mb(32M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
50ns
- 电压 - 供电:
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
55-TFBGA
- 供应商器件封装:
55-VFBGA(8x10)
- 描述:
IC FLSH 256MBIT PARALLEL 55VFBGA
供应商
- 企业:
深圳市安罗世纪电子有限公司
- 商铺:
- 联系人:
黄小姐
- 手机:
13502803406
- 询价:
- 电话:
13502803406
- 地址:
深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼D19
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