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NAND08GW3C2BN6E 集成电路(IC)存储器 STMICROELECTRONICS/意法半导体
- 详细信息
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产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
NAND08GW3C2BN6E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 类别:
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
闪存 - NAND
- 存储容量:
8Gb(1G x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
25ns
- 电压 - 供电:
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
- 供应商器件封装:
48-TSOP
- 描述:
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP
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