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NAND08GW3C2BN6E	文件：1.13279 Mbytes Page：60 Pages	8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory 文件：1.13279 Mbytes 页数：60 Pages	NUMONYX	NUMONYX
NAND08GW3C2BN6E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP	ELPIDA 尔必达	ELPIDA
NAND08GW3C2BN6F	文件：1.13279 Mbytes Page：60 Pages	8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory 文件：1.13279 Mbytes 页数：60 Pages	NUMONYX	NUMONYX
NAND256W3A2BN6E	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST TSOP	ST 上传：深圳市振宏微科技有限公司	ST
NAND512W3A2SZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	MICRON BGA	Micron 美光上传：深圳市拓亿芯电子有限公司	Micron

产品属性

产品编号：
NAND08GW3C2BN6E
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
闪存 - NAND
存储容量：
8Gb（1G x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
25ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：
48-TSOP
描述：
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP

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