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京海半导体(深圳)有限公司

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NAND256W3A2BZA6E

NUMONYXFBGA

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23+

原厂原装正品现货!!

深圳市安罗世纪电子有限公司

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MICRONSMD

3823

2023+

原装现货热卖,安罗世纪电子只做原装

深圳市恒佳微电子有限公司

9年 留言
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ST/意法BGA

360

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十年专营,原装现货,假一赔十

深圳市恒佳微电子有限公司

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    朱先生(只做原装 可开13%票!)

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ST/意法BGA

360

21+

十年专营,原装现货,假一赔十

深圳市美思瑞电子科技有限公司

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STVFBGA55

6800

22+

原装正品,实单请联系

深圳市保之丰科技有限公司

2年 留言
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MICRONFBGA55

495

21+

全新原装,假一赔十!

深圳市创新迹电子有限公司

1年 留言
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NumonyxVFBGA55

6800

2021+

原厂原装,欢迎咨询

深圳市盈盛科创科技有限公司

9年 留言
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MICRONFBGA55

7570

22+

全新原装正品 现货 优势供应

京海半导体(深圳)有限公司

2年 留言
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    18948176968【只做原装!】

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NUMONYXFBGA

98900

22+

只做原装,支持实单,来电咨询。

深圳市中赛美电子科技有限公司

8年 留言
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MICRON/美光NA

3000

22+

支持任何机构检测 只做原装正品

深圳市振宏微科技有限公司

5年 留言
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STFBGA55

5000

23+

公司只做原装现货库存!

深圳市拓亿芯电子有限公司

10年 留言
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ST/意法BGA

12500

23+

只做进口原装假一罚百

深圳市天成基业科技有限公司

2年 留言
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    朱小姐

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    广东省深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6层

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ST/意法BGA

500

21+

全新、原装

齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司

10年 留言
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    王先生/綦先生【原装正品】

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    上海市静安区海宁路1399号/北京市海淀区中海园电子市场/青岛市城阳区正阳路205号

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原厂正品VFBGA55

5000

23+

原装正品,假一罚十

深圳市安罗世纪电子有限公司

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    深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼D19

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MICRONSMD

20

2023+

安罗世纪电子只做原装正品货

深圳市明嘉莱科技有限公司

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    王先生/刘小姐

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    深圳市福田区振华路118号华丽大院西座1栋518

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NUMONYXBGA

990000

24+

明嘉莱只做原装正品现货

深圳市凌旭科技有限公司

12年 留言
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    谢先生(本公司为一般纳税人,可开13%增值税发票,请放心采购)

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    深圳市福田区红荔路上步工业区501栋407

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NUMONYXBGA

6000

2016+

公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票!

深圳市冠亿通科技有限公司

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    叶小姐/刘先生

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    深圳市福田中航路都会100大厦B座10Q

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ST/意法

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21+

原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!

深圳市航宇科工半导体有限公司

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    张文波

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    深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西10层A区10A08室

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NUMONYXNA

3230

23+

航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴!

深圳好佳好科技有限公司

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STBGA55

30000

1436+

绝对原装进口现货可开增值税发票

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NAND256W3A2BZA6E价格

NAND256W3A2BZA6E价格:¥13.5020品牌:Micron

生产厂家品牌为Micron的NAND256W3A2BZA6E多少钱,想知道NAND256W3A2BZA6E价格是多少?参考价:¥13.5020。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,NAND256W3A2BZA6E批发价格及采购报价,NAND256W3A2BZA6E销售排行榜及行情走势,NAND256W3A2BZA6E报价。

NAND256W3A2BZA6E中文资料Alldatasheet PDF

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NAND256W3A2BZA6E功能描述:闪存 NAND MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel

产品属性

  • 产品编号:

    NAND256W3A2BZA6E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    闪存 - NAND

  • 存储容量:

    256Mb(32M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    50ns

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    55-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    55-VFBGA(8x10)

  • 描述:

    IC FLSH 256MBIT PARALLEL 55VFBGA