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NAND512R3A2CZA6	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
NAND512R3A2CZA6E	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
NAND512R3A2CZA6E	文件：1.27065 Mbytes Page：51 Pages	512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Description TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthat usestheSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPage family.TheNAND512R3A2C,NAND512R4A2C,NAND512W3A2C,andNAND512W4A2C haveadensityof512Mbi	NUMONYXNUMONYX 恒忆
NAND512R3A2CZA6F	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
NAND512R3A2CZA6F	文件：1.27065 Mbytes Page：51 Pages	512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Description TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthat usestheSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPage family.TheNAND512R3A2C,NAND512R4A2C,NAND512W3A2C,andNAND512W4A2C haveadensityof512Mbi	NUMONYXNUMONYX 恒忆
NAND512R3A2CZA6T	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
NAND512R3A2CZA6E	文件：674.58 Kbytes Page：51 Pages	512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
NAND512R3A2CZA6F	文件：674.58 Kbytes Page：51 Pages	512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
NAND512R3A2CZA6E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：63-TFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司

详细参数

型号：
NAND512R3A2CZA6
功能描述：
IC FLASH 512MBIT 63VFBGA
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
产品变化通告：
Product Discontinuation 26/Apr/2010
标准包装：
136
系列：
- 格式 -
存储器：
RAM
存储器类型：
SRAM - 同步，DDR II
存储容量：
18M（1M x 18）
速度：
200MHz
接口：
并联
电源电压：
1.7 V ~ 1.9 V
工作温度：
0°C ~ 70°C
封装/外壳：
165-TBGA
供应商设备封装：
165-CABGA（13x15）
包装：
托盘
其它名称：
71P71804S200BQ

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	NAND512R3A2CZA6	NUMONYX	2023+	BGA	53500	正品,原装现货	询价
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更多NAND512R3A2CZA6供应商更新时间2024-4-16 15:04:00

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