订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>NAND256W3A2BN6F>芯片详情
NAND256W3A2BN6F 集成电路(IC)存储器 MICRON/镁光
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
NAND256W3A2BN6F
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
闪存 - NAND
- 存储容量:
256Mb(32M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
50ns
- 电压 - 供电:
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
- 供应商器件封装:
48-TSOP
- 描述:
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP
供应商
- 企业:
深圳市科恒伟业电子有限公司
- 商铺:
- 联系人:
王先生/冯小姐
- 手机:
15817279218
- 询价:
- 电话:
0755-83200050/82569753
- 地址:
深圳市福田区振兴路101号华匀1栋5楼B14
相近型号
- NAND02GW3B2DZA6
- NAND512W3A2DN6E
- NAND02GR3B2DZA6E
- NAND512W3A2DZA6E
- NAND01GW3B2CN6E
- NAND512W3A2SN6
- NAND01GW3B2CN6
- NAND512W3A2SN6E
- NAND01GW3B2BN6E
- NAND512W3A2SN6F
- NAND01GW3B2AN6E
- NAND512W3A2SNXE
- NAND01GR3B2CZA6F
- NAND512W3A2SZA6E
- NAND01GR3B2CZA6E
- NANDA9R3N4BZBB5
- NAM12S06-B
- NANDA9R3N6CZBB5E
- NAM03S06-B
- NANDAAR4N4AZBA5
- NA556N
- NANDBAR4N2AZBA5E
- NA556DR
- NANO100KD3BN
- NA556DG4
- NANO100KE3BN
- NA556D
- NANO100LC2BN
- NA555S-13
- NANO100LD2BN
- NA555PG4
- NANO100LD3BN
- NA555PE4
- NANO100LE3BN
- NA555P
- NANO100NC2BN
- NA555DR
- NANO100ND2BN
- NA555DG4
- NANO100ND3BN
- NA555D
- NANO100NE3BN
- NA24W-K
- NANO100SC2BN
- NA12W-K
- NANO100SD2BN
- NA05QSA065-TE12L
- NANO100SD3AN-AG
- NA05QSA045-TE12L
- NANO100SD3BN