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NAND256R3A2BZA6E	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NAND256R3A2BZA6E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：55-TFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLSH 256MBIT PARALLEL 55VFBGA	ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司	ELPIDA
NAND256R3A2BZA6	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128Mbit,256Mbit,512Mbit,1Gbit(x8/x16)528Byte/264WordPage,1.8V/3V,NANDFlashMemories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NAND256R3A2BZA6F	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128Mbit,256Mbit,512Mbit,1Gbit(x8/x16)528Byte/264WordPage,1.8V/3V,NANDFlashMemories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NAND256R3A2BZA6T	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128Mbit,256Mbit,512Mbit,1Gbit(x8/x16)528Byte/264WordPage,1.8V/3V,NANDFlashMemories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
NAND256R3A2BZA6E
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
闪存 - NAND
存储容量：
256Mb（32M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
50ns
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
55-TFBGA
供应商器件封装：
55-VFBGA（8x10）
描述：
IC FLSH 256MBIT PARALLEL 55VFBGA

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更多NAND256R3A2BZA6E供应商更新时间2025-5-11 16:20:00

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