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NAND04GW3C	文件：614.48 Kbytes Page：32 Pages	USB 2.0 high-speed Flash drive controller 文件：614.48 Kbytes 页数：32 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND04GW3C2A	文件：504.38 Kbytes Page：51 Pages	4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory Summary description The NAND04GA3C2A and NAND04GW3C2A are a Multi-level Cell(MLC) devices from the NAND Flash 2112 Byte Page family of non-volatile Flash memories. The devices are offered in 1.8V and 3V VDDQ I/O power supplies. The core voltage is 3V VDD. The size of a Page is 2112 Bytes (2048 + 文件：504.38 Kbytes 页数：51 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND04GW3C2AN1E	文件：504.38 Kbytes Page：51 Pages	4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory Summary description The NAND04GA3C2A and NAND04GW3C2A are a Multi-level Cell(MLC) devices from the NAND Flash 2112 Byte Page family of non-volatile Flash memories. The devices are offered in 1.8V and 3V VDDQ I/O power supplies. The core voltage is 3V VDD. The size of a Page is 2112 Bytes (2048 + 文件：504.38 Kbytes 页数：51 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND04GW3C2AN1F	文件：504.38 Kbytes Page：51 Pages	4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory Summary description The NAND04GA3C2A and NAND04GW3C2A are a Multi-level Cell(MLC) devices from the NAND Flash 2112 Byte Page family of non-volatile Flash memories. The devices are offered in 1.8V and 3V VDDQ I/O power supplies. The core voltage is 3V VDD. The size of a Page is 2112 Bytes (2048 + 文件：504.38 Kbytes 页数：51 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND04GW3C2AN6E	文件：504.38 Kbytes Page：51 Pages	4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory Summary description The NAND04GA3C2A and NAND04GW3C2A are a Multi-level Cell(MLC) devices from the NAND Flash 2112 Byte Page family of non-volatile Flash memories. The devices are offered in 1.8V and 3V VDDQ I/O power supplies. The core voltage is 3V VDD. The size of a Page is 2112 Bytes (2048 + 文件：504.38 Kbytes 页数：51 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND04GW3C2AN6F	文件：504.38 Kbytes Page：51 Pages	4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory Summary description The NAND04GA3C2A and NAND04GW3C2A are a Multi-level Cell(MLC) devices from the NAND Flash 2112 Byte Page family of non-volatile Flash memories. The devices are offered in 1.8V and 3V VDDQ I/O power supplies. The core voltage is 3V VDD. The size of a Page is 2112 Bytes (2048 + 文件：504.38 Kbytes 页数：51 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND04GW3C2BN6E	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP	Micron 美光	Micron
NAND04GW3C2BN6E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP	Micron Technology Inc.	Micron Technology Inc.

技术参数

存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NAND
存储容量：
4Gb （512M x 8）
写周期时间 - 字，页：
25ns
访问时间：
25ns
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
48-TFSOP（0.724\，18.40mm 宽）
供应商器件封装：
48-TSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	NAND04GW3C2AN1E512MB	ST	24+	MLC	1		询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	NAND04GW3C2BN6E	Numonyx	25+	TSOP48	82	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市凌旭科技有限公司	NAND04GW3C2BN6E	STM	2016+	TSOP48	9000	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
深圳市鹏和科技有限公司	NAND04GW3C2BN6E	ST	24+	TSSOP	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市振宏微科技有限公司	NAND04GW3C2BN6E	NUMONYX	23+	原厂封装	13528	振宏微原装正品,假一罚百	询价
深圳诚思涵科技有限公司	NAND04GW3C2B	ST	18+	TSOP48	85600	保证进口原装可开17%增值税发票	询价
深圳市英卓尔科技有限公司	NAND04GW3C2BN6E	Numonyx	20+	TSOP48	2960	诚信交易大量库存现货	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	NAND04GW3C2BN6E	ST	25+	TSSOP	12500	一级代理,原装现货,价格优势	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	NAND04GW3C2BN6E	Micron Technology Inc.	24+	48-TSOP	56200	一级代理/放心采购	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	NAND04GW3C2BN6E	NUMONYX	2447	TSOP48	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价

更多NAND04GW3C供应商更新时间2025-11-27 15:30:00

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