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NAND01GW4B2AN6

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

文件:631.49 Kbytes 页数:64 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

NAND01GW4B2AN6E

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

ST

意法半导体

NAND01GW4B2AN6E

Package:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽);包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

STMICROELECTRONICS

意法半导体

NAND256W3A2BN6E

ST
TSOP

ST

NAND512W3A2SZ

MICRON
BGA

技术参数

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NAND

  • 存储容量:

    1Gb (64M x 16)

  • 写周期时间 - 字,页:

    30ns

  • 访问时间:

    30ns

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 电源:

    2.7 V ~ 3.6 V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    48-TFSOP(0.724\,18.40mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    48-TSOP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
STMicroelectronics
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ICFLASH1GBIT48TSOP
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更多NAND01GW4B2AN6供应商 更新时间2025-10-8 8:30:00