订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>NAND01GW3B2CN6E>芯片详情
NAND01GW3B2CN6 集成电路(IC)存储器 STMICROELECTRONICS/意法半导体
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
NAND01GW3B2CN6E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 类别:
- 包装:
管件
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
闪存 - NAND
- 存储容量:
1Gb(128M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
25ns
- 电压 - 供电:
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
- 供应商器件封装:
48-TSOP
- 描述:
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
供应商
- 企业:
深圳市金华微盛电子有限公司
- 商铺:
- 联系人:
柯小姐 13510157626
- 手机:
13823749993
- 询价:
- 电话:
0755-82550578
- 传真:
0755-82539558
- 地址:
深圳市福田区中航路新亚洲二期电子城四楼 N4A131房间
相近型号
- NAM12S06-B
- NAND128W3A2BN6E
- NAM03S06-B
- NAND256W3A2BN6E
- NA556N
- NAND256W3A2BN6F
- NA556DR
- NAND256W3A2BNXE
- NA556DG4
- NAND512R3A2DZA6
- NA556D
- NAND512R3A2DZA6E
- NA555S-13
- NAND512R3A2SZA6E
- NA555PG4
- NAND512W3A2CN6F
- NA555PE4
- NAND512W3A2DN6E
- NA555P
- NAND512W3A2DZA6E
- NA555DR
- NAND512W3A2SN6
- NA555DG4
- NAND512W3A2SN6E
- NA555D
- NAND512W3A2SN6F
- NA24W-K
- NAND512W3A2SNXE
- NA12W-K
- NAND512W3A2SZA6E
- NA05QSA065-TE12L
- NANDA9R3N4BZBB5
- NA05QSA045-TE12L
- NANDA9R3N6CZBB5E
- NA05QSA035-TE12L
- NANDAAR4N4AZBA5
- NA05HSA12-TE12L
- NANDBAR4N2AZBA5E
- NA05HSA08-TE12L
- NANO100KD3BN
- NA03QSA045-TE12L
- NANO100KE3BN
- NA03HSA12-TE12L
- NANO100LC2BN
- N9H20K51N
- NANO100LD2BN
- N8T23N
- NANO100LD3BN
- N87C5424
- NANO100LE3BN