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NAND01GW3A2AN6	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NAND01GW3A2AN6E	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NAND01GW3A2AN6F	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NAND01GW3A2AN6T	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NAND01GW3A2AN6E	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP;	STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	ST
NAND01GW3A2AN6E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

技术参数

存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NAND
存储容量：
1Gb （128M x 8）
写周期时间 - 字，页：
30ns
访问时间：
30ns
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
2.7 V ~ 3.6 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
48-TFSOP（0.724\，18.40mm 宽）
供应商器件封装：
48-TSOP

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