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NAND01GW3A0AN6	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARY DESCRIPTION The NAND Flash 528 Byte/ 264 Word Page is a family of non-volatile Flash memories that uses the Single Level Cell (SLC) NAND cell technology. It is referred to as the Small Page family. The devices range from 128Mbits to 1Gbit and operate with either a 1.8V or 3V voltage supp 文件：916.59 Kbytes 页数：57 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND01GW3A0AN6E	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARY DESCRIPTION The NAND Flash 528 Byte/ 264 Word Page is a family of non-volatile Flash memories that uses the Single Level Cell (SLC) NAND cell technology. It is referred to as the Small Page family. The devices range from 128Mbits to 1Gbit and operate with either a 1.8V or 3V voltage supp 文件：916.59 Kbytes 页数：57 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND01GW3A0AN6F	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARY DESCRIPTION The NAND Flash 528 Byte/ 264 Word Page is a family of non-volatile Flash memories that uses the Single Level Cell (SLC) NAND cell technology. It is referred to as the Small Page family. The devices range from 128Mbits to 1Gbit and operate with either a 1.8V or 3V voltage supp 文件：916.59 Kbytes 页数：57 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND01GW3A0AN6T	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARY DESCRIPTION The NAND Flash 528 Byte/ 264 Word Page is a family of non-volatile Flash memories that uses the Single Level Cell (SLC) NAND cell technology. It is referred to as the Small Page family. The devices range from 128Mbits to 1Gbit and operate with either a 1.8V or 3V voltage supp 文件：916.59 Kbytes 页数：57 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND01GW3A0AN6E	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP	ST 意法半导体	ST
NAND01GW3A0AN6E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NAND
存储容量：
1Gb （128M x 8）
写周期时间 - 字，页：
30ns
访问时间：
30ns
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
2.7 V ~ 3.6 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
48-TFSOP（0.724\，18.40mm 宽）
供应商器件封装：
48-TSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	NAND01GW3A0AN6	ST	24+	SLC	5		询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	NAND01GW3A0AN6	ST	25+	TSOP-48	2000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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更多NAND01GW3A0AN6供应商更新时间2025-10-4 10:03:00

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