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N25Q512A13G1240E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：24-TBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
N25Q512A13G1240	文件：1.21538 Mbytes Page：91 Pages	MicronSerialNORFlashMemory3V,MultipleI/O,4KBSectorErase Features •Stackeddevice(two256Mbdie) •SPI-compatibleserialbusinterface •Doubletransferrate(DTR)mode •2.7–3.6Vsinglesupplyvoltage •108MHz(MAX)clockfrequencysupportedforallprotocolsinsingletransferrate(STR)mode •54MHz(MAX)clockfrequencysupport	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron

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N25Q512A13G1240E

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：卷带（TR）封装/外壳：24-TBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

N25Q512A13G1240

文件：1.21538 Mbytes

Page：91 Pages

MicronSerialNORFlashMemory3V,MultipleI/O,4KBSectorErase

Features •Stackeddevice(two256Mbdie) •SPI-compatibleserialbusinterface •Doubletransferrate(DTR)mode •2.7–3.6Vsinglesupplyvoltage •108MHz(MAX)clockfrequencysupportedforallprotocolsinsingletransferrate(STR)mode •54MHz(MAX)clockfrequencysupport

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

产品属性

产品编号：
N25Q512A13G1240E
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
512Mb（128M x 4）
存储器接口：
SPI
写周期时间 - 字，页：
8ms，5ms
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
24-TBGA
供应商器件封装：
24-T-PBGA（6x8）
描述：
IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA

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