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N25Q128A13ESE40E	文件：1.13337 Mbytes Page：81 Pages	Micron Serial NOR Flash Memory 3V, Multiple I/O, 4KB Sector Erase N25Q128A Description TheN25Qisthefirsthigh-performancemultipleinput/outputserialFlashmemorydevicemanufacturedon65nmNORtechnology.Itfeaturesexecute-in-place(XIP)functionality,advancedwriteprotectionmechanisms,andahigh-speedSPI-compatiblebusinterface.Theinnovative,high-p	MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
N25Q128A13ESE40G	文件：1.08794 Mbytes Page：81 Pages	Micron Serial NOR Flash Memory 3V, Multiple I/O, 4KB Sector Erase N25Q128A Description TheN25Qisthefirsthigh-performancemultipleinput/outputserialFlashmemorydevicemanufacturedon65nmNORtechnology.Itfeaturesexecute-in-place(XIP)functionality,advancedwriteprotectionmechanisms,andahigh-speedSPI-compatiblebusinterface.Theinnovative,high-p	MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
N25Q128A13ESE40F TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 128MBIT SPI 108MHZ 8SO	ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司	ELPIDA
N25Q128A13ESE40G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLSH 128MBIT SPI 108MHZ 8SOP2	ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司	ELPIDA

产品属性

产品编号：
N25Q128A13ESE40G
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
128Mb（32M x 4）
存储器接口：
SPI
写周期时间 - 字，页：
8ms，5ms
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOP2
描述：
IC FLSH 128MBIT SPI 108MHZ 8SOP2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
华富测量(深圳)传感技术有限公司	N25Q128A13ESE40G	MICRON/镁光	2021+	NA	8630	镁光一级代理商,	询价
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更多N25Q128A13ESE40供应商更新时间2025-5-25 9:20:00

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