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N2550	文件：193.67 Kbytes Page：8 Pages	型号：2STN2550；Package：SOT-223；Low voltage high performance PNP power transistors Description The 2STF2550 and 2STN2550 are PNP transistors manufactured using new “PB-HCD” (Power bipolar high current density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage. Features ■ Very low collector-emitter sat 文件：193.67 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
	文件：364.98 Kbytes Page：5 Pages	型号：N2550-5002-RB；4-Wall Header 文件：364.98 Kbytes 页数：5 Pages	3M	3M
	文件：364.98 Kbytes Page：5 Pages	型号：N2550-5003-RB；4-Wall Header 文件：364.98 Kbytes 页数：5 Pages	3M	3M
	文件：364.98 Kbytes Page：5 Pages	型号：N2550-50K2-RB；4-Wall Header 文件：364.98 Kbytes 页数：5 Pages	3M	3M

详细参数

型号：
N2550
功能描述：
两极晶体管 - BJT LV high performance PNP power transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多N2550供应商更新时间2025-8-7 14:00:00

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