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N1M120080PD

Silicon Carbide Power MOSFET

NEXIC

昕感科技

N1M17001KPN2

Silicon Carbide Power MOSFET

NEXIC

昕感科技

技术参数

  • BVDS(V):

    1200

  • RDS(on) (mΩ):

    80

  • VGS(th)(V) (Typ.):

    2.7

  • Continuous Drain Current(A)(max):

    36

  • IDSS(μA) (Typ.):

    1

  • VSD(V)(Typ.):

    4

  • TJ(max)(℃):

    150

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更多N1M供应商 更新时间2025-11-3 16:31:00