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N1D1R1NG

丝印:D1R1N;Package:PDFN5*6-8;N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.07492 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

N1D1R1NG

MOSFET

DOINGTER

杜因特

技术参数

  • Package:

    DFN5*6-8

  • ESD Diode:

    N

  • VDS (V):

    40

  • VGS ±(V):

    20

  • ID(A):

    270

  • VGS(th) (min V):

    1

  • VGS(th) (max V):

    2.2

  • RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ):

    1.1

  • RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ):

    1.85

  • Qg (nC):

    172

  • Ciss(pF):

    11600

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOT-23
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更多N1D1R1NG供应商 更新时间2025-10-6 15:30:00