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N0903L	文件：863.03 Kbytes Page：5 Pages	Process Geometry Features • Low Noise: 0.7 nV/√Hz Typical • Typical Input Capacitance: 50pF • Typical Breakdown Voltage: -30V • High Input Impedance • Die Size: 975um X 975um X 203um • Bond Pads: 90um X 90um • Substrate Connected to Gate • Au Back-Side Finish Applications • Low Noise Amplifier • Audio 文件：863.03 Kbytes 页数：5 Pages	INTERFET	INTERFET
N0903L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Geometry Types	InterFET	InterFET
P0903BD	文件：907.47 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：907.47 Kbytes 页数：5 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
P0903BDG	文件：285.57 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：285.57 Kbytes 页数：5 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
P0903BDG	文件：1.01771 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01771 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市和悦电子贸易有限公司	N0910LS200000	WESTCODE		MODULE	50000		询价

更多N0903L供应商更新时间2026-1-27 15:28:00