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N0801S

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FEATURES • Complements to N0801R. • VCEO = 80 V • IC(DC) = 1.0 A • Miniature package SOT-23F (2SD1005: Package variation of 3pPoMM)

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RENESAS

瑞萨

N0801S-T1-AT

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FEATURES • Complements to N0801R. • VCEO = 80 V • IC(DC) = 1.0 A • Miniature package SOT-23F (2SD1005: Package variation of 3pPoMM)

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RENESAS

瑞萨

N0801S_15

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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RENESAS

瑞萨

N0801S

Transistor

Renesas

瑞萨

技术参数

  • NPN/PNP:

    NPN

  • VCEO (V):

    80

  • IC (A) @25 °C:

    1

  • VCE(sat) (V) max.:

    0.5

  • hFE min.:

    90

  • hFE max.:

    400

  • Pc (W):

    1

  • fT (GHz) typ.:

    0.08

  • fT (MHz) typ.:

    80

  • Cob (pF) typ.:

    10

  • Package Type:

    SOT-23F

  • Production Status:

    Non-promotion

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
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SOT-23F
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更多N0801S供应商 更新时间2026-4-21 19:18:00