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N0501S

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FEATURES • Complements to N0501R. • VCEO = 50 V • IC(DC) = 1.0 A • Miniature package SOT-23F (2SD1615: Package variation of 3pPoMM)

文件:85.25 Kbytes 页数:5 Pages

RENESAS

瑞萨

N0501S-T1-AT

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FEATURES • Complements to N0501R. • VCEO = 50 V • IC(DC) = 1.0 A • Miniature package SOT-23F (2SD1615: Package variation of 3pPoMM)

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RENESAS

瑞萨

N0501S_15

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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RENESAS

瑞萨

N0501S

Transistor

Renesas

瑞萨

技术参数

  • NPN/PNP:

    NPN

  • VCEO (V):

    50

  • IC (A) @25 °C:

    1

  • VCE(sat) (V) max.:

    0.3

  • hFE min.:

    135

  • hFE max.:

    600

  • Pc (W):

    1

  • fT (GHz) typ.:

    0.15

  • fT (MHz) typ.:

    150

  • Cob (pF) typ.:

    20

  • Package Type:

    SOT-23F

  • Production Status:

    Mass Production

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
20+
SOT-23
120000
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RENESAS/瑞萨
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更多N0501S供应商 更新时间2026-4-18 10:02:00