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N0501R

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FEATURES ● Complements to N0501S. ● VCEO = -50 V ● IC(DC) = -1.0 A ● Miniature package SOT-23F (2SB1115: Package variation of 3pPoMM)

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RENESAS

瑞萨

N0501R-T1-AT

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FEATURES ● Complements to N0501S. ● VCEO = -50 V ● IC(DC) = -1.0 A ● Miniature package SOT-23F (2SB1115: Package variation of 3pPoMM)

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RENESAS

瑞萨

N0501R_15

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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RENESAS

瑞萨

N0501R

Transistor

Renesas

瑞萨

技术参数

  • NPN/PNP:

    PNP

  • VCEO (V):

    -50

  • IC (A) @25 °C:

    -1

  • VCE(sat) (V) max.:

    -0.3

  • hFE min.:

    135

  • hFE max.:

    600

  • Pc (W):

    1

  • fT (GHz) typ.:

    0.11

  • fT (MHz) typ.:

    110

  • Cob (pF) typ.:

    28

  • Package Type:

    SOT-23F

  • Production Status:

    Mass Production

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
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RENESAS/瑞萨
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更多N0501R供应商 更新时间2026-4-17 14:00:00