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N0301P	文件：260.5 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING DESCRIPTION TheN0301Pisaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya2.5Vpowersource. ThisN0301Pfeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •2.5Vdriv	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
N0301P	文件：494.82 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
N0301P	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs;	RenesasRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	Renesas
N0301P-T1-AT	文件：260.5 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING DESCRIPTION TheN0301Pisaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya2.5Vpowersource. ThisN0301Pfeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •2.5Vdriv	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
N0301P_15	文件：260.5 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
N0301P-T1-AT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：TRANSISTOR	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

技术参数

QG (nC) typ.：
9.5
Nch/Pch：
Pch
Vgs (off) (V) max.：
-1.5
Number of Channels：
Single
VGSS (V)：
12
VDSS (V) max.：
-30
Pch (W)：
0.2
ID (A)：
-4
Application：
Low Voltage General Switching
RDS (ON) (mohm) max. @2.5V or 1.8V：
106
Mounting Type：
Surface Mount
RDS (ON) (mohm) max. @4V or 4.5V：
75
Package Type：
SOT-23F
Ciss (pF) typ.：
780
Production Status：
Non-promotion

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更多N0301P供应商更新时间2025-7-28 14:01:00

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