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N0301N	文件：261.6 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING DESCRIPTION The N0301N is a switching device which can be driven directly by a 4.0 V power source. The N0301N features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on. FEATURES • 4.0 V drive 文件：261.6 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
N0301N	文件：484.5 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter 文件：484.5 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
N0301N-T1-AT	文件：261.6 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING DESCRIPTION The N0301N is a switching device which can be driven directly by a 4.0 V power source. The N0301N features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on. FEATURES • 4.0 V drive 文件：261.6 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
N0301N_15	文件：261.6 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：261.6 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
N0301N	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

QG (nC) typ.：
10
Nch/Pch：
Nch
Vgs (off) (V) max.：
2.5
Number of Channels：
Single
VGSS (V)：
20
VDSS (V) max.：
30
Pch (W)：
0.2
ID (A)：
4.5
Application：
Low Voltage General Switching
RDS (ON) (mohm) max. @4V or 4.5V：
50
Mounting Type：
Surface Mount
RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
36
Package Type：
SOT-23F
Ciss (pF) typ.：
400
Production Status：
Non-promotion

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