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N0202R	文件：104.47 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES ● Complements to N0202S. ● VCEO = -20 V ● IC(DC) = -2.0 A ● Miniature package SOT-23F (2SB1114: Package variation of 3pPoMM) 文件：104.47 Kbytes 页数：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
N0202R-T1-AT	文件：104.47 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES ● Complements to N0202S. ● VCEO = -20 V ● IC(DC) = -2.0 A ● Miniature package SOT-23F (2SB1114: Package variation of 3pPoMM) 文件：104.47 Kbytes 页数：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
N0202R_15	文件：104.47 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 文件：104.47 Kbytes 页数：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
N0202R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

NPN/PNP：
PNP
VCEO (V)：
-20
IC (A) @25 °C：
-2
VCE(sat) (V) max.：
-0.5
hFE min.：
135
hFE max.：
600
Pc (W)：
1
fT (GHz) typ.：
0.09
fT (MHz) typ.：
90
Cob (pF) typ.：
55
Package Type：
SOT-23F
Production Status：
Mass Production

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更多N0202R供应商更新时间2025-10-4 10:02:00

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