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N0201S

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FEATURES ● Complements to N0201R. ● VCEO = 30 V ● IC(DC) = 1.0 A ● Miniature package SOT-23F (2SD999: Package variation of 3pPoMM)

文件:103.87 Kbytes 页数:5 Pages

RENESAS

瑞萨

N0201S-T1-AT

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FEATURES ● Complements to N0201R. ● VCEO = 30 V ● IC(DC) = 1.0 A ● Miniature package SOT-23F (2SD999: Package variation of 3pPoMM)

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RENESAS

瑞萨

N0201S_15

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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RENESAS

瑞萨

N0201S

Transistor

Renesas

瑞萨

技术参数

  • NPN/PNP:

    NPN

  • VCEO (V):

    25

  • IC (A) @25 °C:

    1

  • VCE(sat) (V) max.:

    0.4

  • hFE min.:

    90

  • hFE max.:

    400

  • Pc (W):

    1

  • fT (GHz) typ.:

    0.1

  • fT (MHz) typ.:

    100

  • Cob (pF) typ.:

    18

  • Package Type:

    SOT-23F

  • Production Status:

    Non-promotion

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
25+
SOT-23F
20300
RENESAS/瑞萨原装特价N0201S即刻询购立享优惠#长期有货
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RENESAS/瑞萨
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更多N0201S供应商 更新时间2025-12-9 18:59:00